METHOD FOR MELTING THROUGH-REGIONS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

摘要

Es wird ein Verfahren zum Aufschmelzen von durchgehenden Bereichen zwischen zwei einander gegenüberliegenden Flächen (14, 16) an Halbleitersubstraten (10), insbesondere an Silizium-Solarzellen, angegeben, mit den Schritten: Bestrahlen einer ersten Fläche (14) des Halbleitersubstrates (10) mit einem Laser (20) im Infrarotbereich, so dass sich ein Laserstrahl (22) bis zu einer der ersten Fläche (14) gegenüberliegenden zweiten Fläche (16) ausbreitet; und Erhöhung der Absorption für den Laserstrahl (22) im Bereich der zweiten Fläche (16) zur Erzeugung einer Schmelzfront, die sich ausgehend von der zweiten Fläche (16) in Richtung zu der ersten Fläche (14) hin ausbreitet.