| 发明名称 | 带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底表面具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过绝缘隔离层与支撑衬底电学隔离；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN102332460B | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201110229907.1 | 申请日期 | 2011.08.11 |
| 申请人 | 上海中科高等研究院 | 发明人 | 陈志卿;汪辉;陈杰;汪宁;尚岩峰;田犁 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，其特征在于：驱动电路区域的支撑衬底表面具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过绝缘隔离层与支撑衬底电学隔离；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区海科路99号 | ||