发明名称 |
刻蚀装置及对应的刻蚀方法 |
摘要 |
一种刻蚀装置及对应的刻蚀方法,所述刻蚀装置包括:反应腔、承片台、射频发生器、进气单元、排气单元、可编程逻辑控制器;所述可编程逻辑控制器与射频发生器、气流控制器相连接,利用所述可编程逻辑控制器同时对射频发生器、气流控制器进行循环控制,使得所述刻蚀装置能交替地对待刻蚀基片进行刻蚀和在刻蚀形成的沟槽、通孔侧壁形成聚合物。利用所述可编程逻辑控制器同时对射频发生器、气流控制器进行循环控制,可以提高对射频发生器和气流控制器控制的同步性,减少刻蚀阶段和形成聚合物阶段的切换时间。 |
申请公布号 |
CN102751160A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201210243815.3 |
申请日期 |
2012.07.13 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
周旭升;梁洁;许颂临;倪图强 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种刻蚀装置,其特征在于,包括:反应腔、承片台、射频发生器、进气单元、排气单元、可编程逻辑控制器;所述承片台位于所述反应腔内,用于承载待刻蚀基片;所述进气单元包括若干根与反应腔相连的进气通路和与所述进气通路相连接的若干个气流控制器,利用所述气流控制器控制通入反应腔的源气体和气流量;所述射频发生器将源气体等离子体化,并利用所述源气体的等离子体对待刻蚀基片进行刻蚀或在刻蚀形成的沟槽、通孔侧壁形成聚合物;所述排气单元用于排出反应腔中的残余气体;所述可编程逻辑控制器与射频发生器、气流控制器相连接,利用所述可编程逻辑控制器同时对射频发生器、气流控制器进行循环控制,使得所述刻蚀装置能交替地对待刻蚀基片进行刻蚀和在刻蚀形成的沟槽、通孔侧壁形成聚合物。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |