带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其制备方法

摘要

本发明公开了一种带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其制备方法，该LED管芯是在LED管芯的发光面上溅射有一层的ZnO种子层，ZnO种子层上生长有ZnO微米图形阵列，其制备包括以下步骤：（1）生长LED外延片，制作完整结构的LED管芯；（2）在LED发光面溅射一层ZnO种子层；（3）在LED表面制作光刻胶微米周期图形；（4）以光刻胶微米周期图形为模板生长ZnO微米图形阵列；（5）用去胶液去除光刻胶，即得到ZnO微米图形阵列的LED。本发明不仅可以更高比例的提取发射光，也保证了发光二极管整个发光表面出光的均匀性，制作简单，成本低，不会对LED管芯的电学性能造成破坏，能够提高平板GaN基LED的发光效率约40%。

主权项

一种带有ZnO微米图形阵列的LED管芯，其特征是：在LED管芯的发光面上溅射有一层厚度为20nm‑400nm的ZnO种子层，ZnO种子层上生长有ZnO微米图形阵列。