发明名称 离子注入设备的监测方法
摘要 一种离子注入设备的监测方法,在离子注入工艺中,通过对产品晶圆上的管芯内焊盘区域进行热波数据测量,并将热波数据送入SPC设备进行处理,由于是对产品晶圆而不是对裸晶圆进行检测,所以本发明能够及时并且准确地监测离子注入设备的状态,进而能根据需要对离子注入设备进行随时的调控,使各批次晶圆的离子注入工艺结果稳定、一致。
申请公布号 CN102751209A 申请公布日期 2012.10.24
申请号 CN201110095828.6 申请日期 2011.04.17
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 李春龙;李俊峰
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 代理人 陈红
主权项 一种离子注入设备的监测方法,其特征在于,所述方法包括:提供多个产品晶圆,所述产品晶圆用于制造所需要的集成电路,每个所述产品晶圆均具有多个管芯;所述管芯包括焊盘区域,所述焊盘区域用于将所述管芯与外部电路电连接;将多个所述产品晶圆置于离子注入设备中,进行离子注入;在进行离子注入之后,对多个所述产品晶圆进行快速热退火处理;在快速热退火处理后,进行数据测量步骤;所述数据测量步骤包括:在进行快速热退火处理后,取出多个所述产品晶圆中的任意一个或多个,测量取出的所述产品晶圆的管芯内的所述焊盘区域的热波数据,接着,将所述热波数据送入统计过程控制设备,通过对所述热波数据的统计和分析,从而监测所述离子注入设备的状态。
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