| 发明名称 | 用臭氧沉积后处理除去可流动的氧化物薄膜中的碳 | ||
| 摘要 | 从可流动的绝缘材料中除去残留碳沉积物的一种方法。可流动的绝缘材料包括硅、碳和氢，且是可流动的氧化物材料或旋压的可流动的氧化物材料。通过将材料暴露于臭氧中而从可流动的绝缘材料中除去残留碳沉积物。可流动的绝缘材料用于形成位于半导体基材上的沟槽中的绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN101176190B | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN200480012417.4 | 申请日期 | 2004.05.06 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | G·S·桑德胡;L·李 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 一种除去残留碳沉积物的方法，其特征在于，它包括：在半导体基材上沉积含有硅、碳和氢的可流动的绝缘材料；和将可流动的绝缘材料暴露于臭氧中，以形成含有小于5％(原子的)残留碳的材料。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||