| 发明名称 | 金属互连结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种金属互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层；在所述第一介质层内形成第一金属结构；在所述第一金属结构之间形成一条或多条间隙；在所述第一介质层上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述间隙，形成空气间隔；在所述刻蚀阻挡层上形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第二金属结构，所述第二金属结构与所述第一金属结构电连接。本发明在金属互连线之间形成空气间隔，解决了金属互连线的机械支撑不足的问题，并且实现带有空气间隔的金属互连结构的量产。 | ||
| 申请公布号 | CN102751237A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201210228990.5 | 申请日期 | 2012.07.03 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 梁学文;陈玉文;胡友存;姬峰;李磊 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层；在所述第一介质层内形成第一金属结构；在所述第一金属结构之间形成一条或多条间隙；在所述第一介质层上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述间隙，形成空气间隔；在所述刻蚀阻挡层上形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第二金属结构，所述第二金属结构与所述第一金属结构电连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||