发明名称 |
离子注入实时检测和控制装置 |
摘要 |
本发明公开了一种离子注入实时检测和控制装置,其包括一束流传输系统、一电子枪和一工件;一电量测量模块,用于测量所述电子枪发射并进入所述工件的电量;以及一扫描控制模块,用于根据所述电量测量模块测量的电量,控制晶圆相对离子束流的移动和/或控制所述束流传输系统生成的离子束流,进而控制注入剂量和注入均匀性。本发明的离子注入实时检测和控制装置通过检测用于中和带电离子的电子流量,从而能够实时的反馈调节和控制注入离子的剂量,从而通过晶圆相对离子束流扫描的状态,例如晶圆相对离子束流扫描的速度和幅度等,将扫描幅度控制在最小,消除无谓的过度扫描,使得晶片中各个区域的注入剂量的均匀。 |
申请公布号 |
CN102751154A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201110102572.7 |
申请日期 |
2011.04.22 |
申请人 |
上海凯世通半导体有限公司 |
发明人 |
洪俊华 |
分类号 |
H01J37/304(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/304(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
薛琦;朱水平 |
主权项 |
一种离子注入实时检测和控制装置,其包括一束流传输系统、一电子枪和一工件,其特征在于,所述离子注入实时检测和控制装置还包括:一电量测量模块,用于测量所述电子枪发射并进入所述工件的电量;以及一扫描控制模块,用于根据所述电量测量模块测量的电量,控制工件相对离子束流的移动和/或控制所述束流传输系统生成的离子束流,进而控制注入剂量和注入均匀性。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号 |