半导体装置的制造方法及等离子体氧化处理方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，通过对含氮的栅极绝缘膜进行等离子体氧化处理，可以抑制薄膜晶体管特性的降低。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，其为具备薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，该薄膜晶体管具有栅电极(103)、含氮的栅极绝缘膜(105)及由微晶半导体膜(107)、(109)形成的沟道区，其特征在于，进行使所述栅极绝缘膜暴露于具有含有氧原子的氧化气体和氢的氧化气体气氛的等离子体中的等离子体处理，在所述栅极绝缘膜上形成所述微晶半导体膜，使所述氧化气体气氛中的所述氢的量为a，使所述氧化气体的量为b时，满足下述式(1)、(2)。a/b≥2…(1)b＞0…(2)。

主权项

一种具备薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，该薄膜晶体管具有栅电极、含氮的栅极绝缘膜及微晶半导体膜，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在包含氢和氧化气体的氧化气体气氛中对所述栅极绝缘膜进行等离子体处理；及在所述栅极绝缘膜上形成所述微晶半导体膜，其中使所述氧化气体气氛中的所述氢的量和所述氧化气体的量分别为a和b时，满足a/b≥2和b＞0。