| 发明名称 | 一种钨基浸渍阴极及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种钨基浸渍阴极，阴极基体由60～96％(重量百分比)钨粉、1～10％氧化锆粉以及余量为氧化钪粉三个组分组成，基体孔隙中浸渍铝酸盐，本发明具有大发射电流密度、长寿命、较低的工作温度、高工作稳定性等优点。本发明的另一方案是提供一种工艺简单、易于操作的钨基浸渍阴极制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101834106B | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201010173502.6 | 申请日期 | 2010.05.12 |
| 申请人 | 安徽华东光电技术研究所 | 发明人 | 吴华夏;方卫;孟昭红 |
| 分类号 | H01J23/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J23/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种钨基浸渍阴极，包括阴极钼筒，钼筒内上部为基体，基体下部设有热子组件，其特征在于所述基体由60～96％(重量百分比)钨粉、1～10％(重量百分比)氧化锆粉以及余量为氧化钪粉三个组分组成，所述基体孔隙中浸渍铝酸盐。 | ||
| 地址 | 241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术开发区华夏科技园 | ||