用于RF IC的高压高频ESD防护电路

摘要

本发明描述用于需要高压和高频操作两者的RFIC的改进的ESD防护电路。组合有预充电电路和二极管网络的迭接接地栅极骤回NFET (GGNFET)导致具有低电容和高接通电压的正ESD防护箝位电路。所述正ESD防护箝位电路在正电压ESD脉冲期间为IC提供ESD防护。本发明揭示负ESD防护箝位电路的示范性实施例，其中以允许偏压电路或电荷泵与二极管网络和迭接接地栅极骤回NFET的组合提供防护以对抗负ESD电压脉冲的方式来使用所述偏压电路或所述电荷泵替代所述预充电电路。正ESD防护箝位电路与负ESD防护箝位电路的组合在正电压ESD脉冲或负电压ESD脉冲期间为IC提供ESD防护。替代实施例进一步通过仅使用正ESD箝位电路来提供正ESD脉冲期间的ESD防护而减小所述ESD防护电路的电容，同时通过由耦合到负ESD二极管的RF前端开关的路径形成的放电路径来提供针对负ESD脉冲的防护。

主权项

一种为集成电路IC提供防护以对抗正电压ESD脉冲的装置，所述装置包括迭接接地栅极NFET，所述装置包含：二极管网络，其耦合于所述IC的IC衬垫与所述迭接接地栅极NFET的漏极之间，其中所述二极管网络将所述装置的接通电压设定在所要电平；以及预充电电路，其用以将所述迭接接地栅极NFET的所述漏极处的偏压电压设定在所要电平以便减小所述IC衬垫处的电容性负载。