| 发明名称 | 用于支承半导体晶片的基座以及在半导体晶片的正面上沉积层的方法 | ||
| 摘要 | 用于在半导体晶片的正面上沉积层期间支承半导体晶片的基座，其中所述半导体晶片具有直径D，并且在其边缘处具有深度为T的缺口，所述基座包括：用于在半导体晶片背面的边缘区域内放置半导体晶片的具有内径d的环形放置区域，其中对于所放置的半导体晶片符合：(D-d)/2＜T；及所述放置区域的向所述放置区域内侧延伸的伸出部分，其用于在半导体晶片的缺口区域内放置半导体晶片，所放置的半导体晶片的缺口完全垫在所述伸出部分上。 | ||
| 申请公布号 | CN102751221A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201210116686.1 | 申请日期 | 2012.04.19 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | N·维尔纳;C·哈格尔;R·绍尔 |
| 分类号 | H01L21/673(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/673(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 李振东;过晓东 |
| 主权项 | 用于在半导体晶片的正面上沉积层期间支承半导体晶片的基座，其中所述半导体晶片具有直径D，并且在其边缘处具有深度为T的缺口，所述基座包括：用于在半导体晶片背面的边缘区域内放置半导体晶片的具有内径d的环形放置区域，其中对于所放置的半导体晶片符合：(D‑d)/2＜T；及所述放置区域的向所述放置区域内侧延伸的伸出部分，其用于在半导体晶片的缺口区域内放置半导体晶片，所放置的半导体晶片的缺口完全垫在所述伸出部分上。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||