发明名称 |
一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法,其过程为:在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区,制备深槽隔离,然后依次制备基极多晶、基区、发射区以及集电极,形成SiGe HBT器件;在衬底NMOS器件有源区生长五层材料,制备漏极、栅极和源区,完成NMOS器件制备;在PMOS器件有源区生长三层材料,制备虚栅极,利用自对准工艺注入形成PMOS器件源、漏;刻蚀虚栅,完成PMOS器件制备,形成应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及电路;本发明在制备过程中,采用全自对准工艺,有效地减小了寄生电阻与电容,提高了器件的电流与频率特性,而且SiGe HBT发射极、基极和集电极全部采用多晶,减小了器件有源区的面积以及器件尺寸,提高了电路的集成度。 |
申请公布号 |
CN102751280A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201210243598.8 |
申请日期 |
2012.07.16 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
胡辉勇;宋建军;宣荣喜;舒斌;张鹤鸣;李妤晨;吕懿;郝跃 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件,其特征在于,所述应变SiGe回型沟道Si基BiCMOS集成器件采用SOI三多晶SiGe HBT器件,应变SiGe垂直沟道NMOS器件和应变SiGe平面沟道PMOS器件。 |
地址 |
710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 |