发明名称 干式高压聚丙烯薄膜金属箔式电容器浸渍工艺
摘要 本发明公开了一种干式高压聚丙烯薄膜金属箔式电容器浸渍工艺,其步骤为:向装配好电容芯子的电容器中高真空浸渍低温二芳基乙烷绝缘油;浸渍完成后,将电容器倒置,沥出低温二芳基乙烷绝缘油;采用有机硅凝胶GN-503作为浸渍剂,进行低真空浸渍;浸渍完成后,常压固化;采用环氧树脂封装电容器。采用本发明工艺方案的干式高压聚丙烯薄膜金属箔式电容器额定工作场强较传统的工艺方案有大幅提高,可实现干式高压全膜电容器的小型化,同时具有良好可靠性的优点。
申请公布号 CN102751090A 申请公布日期 2012.10.24
申请号 CN201210234371.7 申请日期 2012.07.09
申请人 合肥华耀电子工业有限公司 发明人 郭翔
分类号 H01G4/00(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I 主分类号 H01G4/00(2006.01)I
代理机构 合肥天明专利事务所 34115 代理人 金凯
主权项 干式高压聚丙烯薄膜金属箔式电容器浸渍工艺,采用下述步骤:(1)向装配好电容芯子的电容器中高真空浸渍低温二芳基乙烷绝缘油,浸渍温度50‑60℃,真空度≤1×10‑3mmHg,浸渍时间24小时以上;(2)浸渍完成后,将电容器倒置,沥出低温二芳基乙烷绝缘油;(3)采用有机硅凝胶GN‑503作为浸渍剂,进行低真空浸渍,浸渍温度不高于30℃,真空度≤1×10‑2mmHg,浸渍时间24小时以上;(4)浸渍完成后,常压85‑95℃固化至少6小时;(5)采用环氧树脂封装电容器。
地址 230088 安徽省合肥市高新区天智路41号华电大厦