发明名称 一种用于获得多晶硅半导体材料,特别是硅的设备,以及一种控制其温度的方法
摘要 一种用于获得多晶硅的设备(1),包括:用于盛装硅的至少一个由石英制成的坩埚(3),可移去地装在一个杯形石墨容器(4)内;流体密封的并且能打开的罩(5);顶部感应线圈(12),面向所述坩埚设置,两者之间设有石墨板(14);横向感应线圈(16),绕石墨容器的侧壁(17)设置;以及底部感应线圈(18),面向石墨容器的底壁(19)设置并可垂直地移动用于改变其距底壁的距离(D);以及相互独立地为感应线圈提供电源的第一装置(20);以及在感应线圈的各中空匝中提供冷却剂的第二装置(21);底部感应线圈包括4个螺旋绕组(31-34),根据方格图案在同一平面上彼此相邻设置,所述平面由绝缘支撑板(35)设定;电气开关装置(40)使得4个绕组(31-34)根据不同的配置彼此选择性地连接。
申请公布号 CN102753736A 申请公布日期 2012.10.24
申请号 CN201080058771.6 申请日期 2010.10.20
申请人 赛亚特股份有限公司 发明人 发布里奇奥·杜吉罗;米歇尔·福尔赞;达里奥·齐斯卡托;马里奥力诺·切萨诺;发布里奇奥·克里韦洛;罗伯托·贝基尼
分类号 C30B11/00(2006.01)I;B22D27/04(2006.01)I;F27B14/14(2006.01)I;H05B6/36(2006.01)I;H05B6/44(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种用于半导体材料(2)的熔化和随后定向凝固,特别是为获得具有“太阳能”纯度的多晶硅的设备(1),包括至少一个用于所述半导体材料的坩埚(3),优选由石英或陶瓷材料制成,可移去地装在杯形石墨容器(4)内;至少一个顶部感应线圈(12),面向所述石墨容器的开口(15)设置,顶部感应线圈(12)和开口(15)之间至少设有与顶部感应线圈(12)可操作的相关联的石墨板(14);至少一个横向感应线圈(16),围绕所述石墨容器的侧壁(17)设置;至少一个底部感应线圈(18),面向所述石墨容器的底壁(19)设置;用于分别并且独立地供应所述感应线圈(12,16,18)的交流供电装置(20);以及用于在所述感应线圈的各中空匝(13)中提供冷却剂的冷却装置(21);作为整体,所述设备的特征在于:‑所述至少一个底部感应线圈(18)包括多个绕组(31‑34),所述多个绕组彼此相邻设置并位于由绝缘支撑板(35)所设定的同一平面上;‑电气开关装置(40),预先设置在所述至少一个底部感应线圈(18)的绕组(31‑34)与各交流供电装置(20)之间,用于根据不同的配置选择性地互相连接交流供电装置(20)和绕组(31‑34)。
地址 意大利莱尼