发明名称 | PMOS正高压电荷泵 | ||
摘要 | 本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构,保存原有PMOS开关电荷泵的同时,增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路,降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压,提高了传输辅助支路中PMOS管电荷导通能力,减小了电压损失,从而提高了输出电压,减小了电压上升时间,提高了电路整体电压上升阶段电压的斜率,同时很好地减小了由栅极控制辅助支路直接控制传输主支路中PMOS管栅极时存在的较大反向电流。 | ||
申请公布号 | CN102751867A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
申请号 | CN201210239819.4 | 申请日期 | 2012.07.10 |
申请人 | 北京大学 | 发明人 | 王源;丁健平;高晓敏;黄鹏;杜刚;康晋峰;张兴 |
分类号 | H02M3/07(2006.01)I | 主分类号 | H02M3/07(2006.01)I |
代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
主权项 | 一种PMOS正高压电荷泵,其特征在于,包括多级串联的电荷泵电路,以及一级输出电路,所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接;其中,每一级所述电荷泵电路包括一个NMOS管、三个PMOS管和一个电容器;其中,所述电容器的一端、第一PMOS管的漏极、栅极和衬底,第二PMOS管的漏极和衬底,以及第三PMOS管的栅极相连在一起,并作为本级电荷泵电路的输出端;第三PMOS管的漏极、NMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极相连在一起;所述NMOS管的栅极与控制信号相连;所述电容器的另一端与时钟信号相连;所述NMOS管的源极、衬底接地;第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源级,以及第三PMOS管的栅极连接在一起,作为本级电荷泵电路的输入端,与输入电压或上一级电荷泵电路的输出端相连;所述输出电路为所述电荷泵电路去除电容器之后形成的电路。 | ||
地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 |