发明名称 |
具有NIP隧穿结的a-Si/μc-SiGe叠层太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种具有NIP隧穿结的a-Si/μc-SiGe叠层太阳能电池及其制造方法。其方法包括以下步骤:步骤一,生成上层电池的非晶硅薄膜,步骤包括,以已知方法沉积P型非晶硅窗囗层;以已知方法沉积本征非晶硅吸收层;沉积N型非晶硅层。步骤二,生成下层电池的微晶硅薄膜,步骤包括,将步骤一制作的电池放入真空室里,在通入氩气的条件下,刻蚀氧化层;沉积沉积N型微晶硅层;沉积本征微晶硅层;沉积P型微晶硅层;沉积本征微晶硅锗吸收层;沉积N型微晶硅层。步骤三,在PVD反应室里以已知方法依次沉积ZnO和Al膜,厚度分别为70和300nm。本发明的方法能与现有PECVD法的工艺兼容,同时提高了电池的转化效率。 |
申请公布号 |
CN102751372A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201210230875.1 |
申请日期 |
2012.07.04 |
申请人 |
圣睿太阳能科技(镇江)有限公司 |
发明人 |
何文;俞远高;张鹏强;成惠峰;王闪闪;徐娜;柏龙凤;葛伟青;丰浩 |
分类号 |
H01L31/076(2012.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/076(2012.01)I |
代理机构 |
镇江京科专利商标代理有限公司 32107 |
代理人 |
夏哲华 |
主权项 |
一种具有NIP隧穿结的a‑Si/μc‑SiGe叠层太阳能电池,其特征是:其结构为,Glass/TCO/p‑a‑SiC:H/i‑a‑Si:H/n‑a‑Si:H/n‑μc‑Si:H/i‑μc‑Si:H/p‑μc‑Si:H/i‑μc‑SiGe:H/n‑μc –Si:H/ZnO/Al/Glass。 |
地址 |
212132 江苏省镇江市新区大港通港路7号 |