发明名称 |
制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置 |
摘要 |
本实用新型提供一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,包括:进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统;所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管,所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管,所述硒化炉的腔体安装有第三石英管,所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。因此,可以分别精确控制等离子体气源和硒化的参数,实现了高质量CIGS薄膜材料的低温生长,还具有硒化装置结构设计简单、易清洗、安全以及最终得到的CIGS薄膜的均匀性好的优点,因此适用于CIGS薄膜太阳能电池的工业化大规模生产。 |
申请公布号 |
CN202499904U |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201220124624.0 |
申请日期 |
2012.03.29 |
申请人 |
尚越光电科技有限公司 |
发明人 |
任宇航 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I;C23C16/452(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京市盛峰律师事务所 11337 |
代理人 |
赵建刚 |
主权项 |
一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置,其特征在于,包括:进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统;所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管,所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管,所述硒化炉的腔体安装有第三石英管,所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。 |
地址 |
311121 浙江省杭州市文一西路1500号科技创业中心3号楼 |