薄膜晶体管基板的制造方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括下列步骤：提供一基板，其上制作多晶硅膜图案，该多晶硅膜图案包括多个第一种类型薄膜晶体管的源极接触区及漏极接触区和多个第二种类型薄膜晶体管的源极接触区及漏极接触区；对第一种类型薄膜晶体管的源极接触区与漏极接触区进行重掺杂；在多晶硅膜表面形成栅极绝缘膜，其上形成栅极金属线；对第二种类型薄膜晶体管源极接触区与漏极接触区进行自我对准式重掺杂；在栅极绝缘膜和栅极金属线的表面形成介电层；制作连接通道连通该多晶硅膜至该介电层的表面；在连接通道形成电极金属线；其中第一种类型薄膜晶体管与第二种类型薄膜晶体管的重掺杂相互补偿。此制造方法掩膜数量的减少，制造成本有优势。

主权项

一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括下列制造步骤：提供一基板，在该基板上形成多晶硅膜；在该多晶硅膜表面涂布光阻并制作多晶硅膜图案，该多晶硅膜图案包括多个第一种类型薄膜晶体管的接触区和多个第二种类型薄膜晶体管的接触区，该第一种类型薄膜晶体管的接触区包括源极接触区、通道区及漏极接触区，该第二种类型薄膜晶体管的接触区包括源极接触区、通道区及漏极接触区；形成多晶硅膜图案后，对残余在多晶硅膜图案上且厚度为2单位厚度的光阻进行蚀刻，第一种类型薄膜晶体管源极接触区与漏极接触区光阻被蚀刻完全后，第一种类型薄膜晶体管通道区域光阻为1个单位厚度，第二种类型薄膜晶体管接触区光阻为1个单位厚度；利用光阻的遮挡对第一种类型薄膜晶体管的源极接触区与漏极接触区进行重掺杂；在多晶硅膜表面形成栅极绝缘膜，在第一种及第二种薄膜晶体管的通道区上形成栅极金属线；对第二种类型薄膜晶体管源极接触区与漏极接触区进行自我对准式重掺杂；在栅极绝缘膜和栅极金属线的表面形成介电层；制作连接通道连通该多晶硅膜至该介电层的表面；在连接通道形成电极金属线；其中第一种类型薄膜晶体管与第二种类型薄膜晶体管的重掺杂相互补偿，该第一种类型薄膜晶体管与第二种类型薄膜晶体管分别是p型薄膜晶体管和n型薄膜晶体管中的一种。