印刷掺杂层

摘要

本发明系提供一种用以制造一电子装置，如一MOS电晶体，之方法，其包含在一介电功能性基板上形成多个半导体岛，在该等半导体岛之一第一子集上或上方印刷一第一介电层并且选择地在该等半导体岛之一第二子集上或上方印刷一第二介电层，并且进行退火处理。该第一介电层包含一第一掺杂物，并且该第二介电层包含一与该第一掺杂物不同之第二掺杂物。该等介电层、该等半导体岛以及该基板系充分地进行退火处理以将该第一掺杂物扩散进入该等半导体岛之该第一子集中，并且，当出现时，将该第二掺杂物扩散进入该等半导体岛之该第二子集中。

主权项

一种用以制造一薄膜装置之方法，包含：(a)在一介电功能性基板上形成多个半导体岛；(b)在该等多个半导体岛之一第一子集上或上方印刷一第一介电层，并且在该等多个半导体岛之一第二子集上或上方印刷一第二介电层，该第一介电层包含一第一掺杂物并且该第二介电层包含一与该第一掺杂物不同之第二掺杂物；以及(c)充分地对该等介电层、该等多个半导体岛以及该基板进行退火处理，以将该第一掺杂物扩散进入该等多个半导体岛之该第一子集中，并且将该第二掺杂物扩散进入该等多个半导体岛之该第二子集中。如申请专利范围第1项所述之方法，其中形成该等多个半导体岛之步骤包含印刷一半导体油墨。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该半导体油墨包含一重量百分比介于1至50间之矽甲烷以及一溶剂，该矽甲烷可溶解于该溶剂中。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该半导体油墨被印刷成一样板，该样板形成一系列之该等多个半导体岛，该第一介电层被印刷至相邻之半导体岛之一第一群体上或上方，并且第二介电层被印刷至相邻之半导体岛之一第二群体上或上方。如申请专利范围第1项所述之方法，进一步包含在该等多个半导体岛之至少一子集上或上方形成一闸介电层。如申请专利范围第5项所述之方法，进一步包含在每一闸介电层上印刷一闸先趋物油墨，并且从该闸先趋物处形成一闸极。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该退火处理系在一温度下实施一段充分的时间，以形成多个源极/汲极接点。如申请专利范围第1项所述之方法，进一步包含下列步骤：在印刷该第一介电层与该第二介电层后，在该第一介电层与该第二介电层中形成多个接触孔洞；以及暴露(i)至少部分该闸极之一上表面，以及(ii)该半导体岛在该部分暴露的闸极之对立侧的部位。如申请专利范围第8项所述之方法，进一步包含在该第一介电层与该第二介电层上印刷一金属油墨，并且该闸极之该暴露的表面与该半导体岛从该印刷的金属油墨形成一金属层。一种用以制造一金氧半导体电晶体之方法，包含下列步骤：(a)在一基板上或上方形成多个电晶体闸极。(b)在该等电晶体闸极之一第一子集上或上方印刷一第一介电层，并且在该等电晶体闸极之一第二子集上或上方印刷一第二介电层，该第一介电层包含一第一掺杂物，并且该第二介电层包含一与该第一掺杂物不同之第二掺杂物；(c)在该第一介电层与该第二介电层中形成多个接触孔洞，并且暴露每一电晶体闸极之一上表面；以及(d)充分地蚀刻该第一介电层与该第二介电层，以扩大该等接触孔洞。如申请专利范围第10项所述之方法，其中形成该等接触孔洞之步骤包含移除该第一介电层与该第二介电层之一部分。如申请专利范围第10项所述之方法，其中印刷该第一介电层与该第二介电层之步骤进一步包含形成该等接触孔洞。一种电子装置，包含：(a)一基板；(b)多个第一半导体岛，该等第一半导体岛系位于该基板上，该等第一半导体岛包含一可扩散的第一掺杂物；(c)多个第二半导体岛，该等第二半导体岛系位于该基板上，该等第二半导体岛包含一与该可扩散的第一掺杂物不同之可扩散的第二掺杂物；(d)多个第一介电膜，该等第一介电膜系位于该等多个第一半导体岛之至少一第一子集上，该等第一介电膜包含该可扩散的第一掺杂物；(e)多个第二介电膜，该等第二介电膜系位于该等多个第二半导体岛之至少一第二子集上，该等第二介电膜包含该可扩散的第二掺杂物；以及(f)一金属层，该金属层系与该等多个第一半导体岛以及该等多个第二半导体岛电性接触。如申请专利范围第13项所述之电子装置，其中每一半导体岛皆包含一IVA族元素。如申请专利范围第14项所述之电子装置，其中该IVA族元素包含矽甲烷。如申请专利范围第13项所述之电子装置，进一步包含一闸介电层，该闸介电层系位于每一第一半导体岛与每一第二半导体岛之至少一子集上或上方，并且一闸极系位于该闸介电层上。如申请专利范围第13项所述之电子装置，其中该等第一介电膜与该等第二介电膜系部分重叠。如申请专利范围第13项所述之电子装置，进一步包含多个接触孔洞，该等接触孔洞系位于该等第一介电膜与该等第二介电膜之至少一子集中，至少部分该闸极之一上表面被暴露，并且每一半导体岛在该部分暴露的闸极之对立侧的部位亦被暴露，其中该金属层系与该暴露的闸极之该上表面以及该等半导体岛之该暴露的部位电性连接。