电浆沈浸离子植入制程

摘要

本发明揭示一种用以藉由一电浆沈浸离子植入制程将离子植入到一基板内的方法。在一实施例中，藉由电浆沈浸离子植入制程将离子植入到基板内的方法系包括：提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一还原气体；以及将来自该气体混合物的离子植入到该基板内。在另一实施例中，该方法包括：提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一含氢还原气体；以及将来自该气体混合物的离子植入到该基板内。

主权项

一种用以藉由一电浆沈浸离子植入制程将离子植入到一基板内的方法，至少包含：提供一基板至一处理腔室内；在该腔室内从一气体混合物产生一电浆，其中该气体混合物包括一反应气体与一还原气体；以及将来自该电浆的离子植入到该基板内。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该反应气体包括BF3、B2H6、BCl3、P2H5、PH3、GaN、AsF5或PF3之至少其一。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该还原气体包括SiH4、B2H6、NH3或H2之至少其一。如申请专利范围第1项所述之方法，其中产生一电浆的步骤更包含：随着该气体混合物供应一含氮气体到该处理腔室内。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该含氮气体包括NO、NO2、NH3、N2或N2O之至少其一。如申请专利范围第1项所述之方法，其中产生一电浆的步骤更包含：以约5 sccm与约600 sccm之间供应该反应气体；以及以约0 sccm与约500 sccm之间供应该还原气体。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该反应气体为BF3气体，且该还原气体为SiH4气体。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该反应气体为BF3与B2H6气体，且该还原气体为SiH4气体。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该反应气体为BF3气体，且该还原气体为B2H6气体。如申请专利范围第1项所述之方法，其中供应该气体混合物的步骤更包含：随着该气体混合物供应一惰性气体到该处理腔室内，其中该惰性气体包括Ar、He、Xe、Kr或N2之至少其一。如申请专利范围第1项所述之方法，其中将离子植入的步骤更包含：施加一RF源功率；以及施加一RF偏功率。如申请专利范围第10项所述之方法，其中施加RF的步骤更包含：施加约50瓦与约2000瓦之间的RF源功率；施加约50瓦与约11000瓦之间的RF偏功率。如申请专利范围第1项所述之方法，其中产生一电浆的步骤更包含：使该还原气体与来自该反应气体之一部分经解离的离子发生反应。如申请专利范围第13项所述之方法，更包含：形成一挥发性气体，该挥发性气体被泵送出该处理腔室。如申请专利范围第1项所述之方法，其中将离子植入的步骤更包含：将离子植入到该基板内基板表面下约10埃与约800埃之间的深度。如申请专利范围第1项所述之方法，其中以约1：0.01与约1：0.5之间的气体流量比来供应该反应气体与该还原气体。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该还原气体为一含氢气体。一种用以藉由一电浆沈浸离子植入制程将离子植入到一基板内的方法，至少包含：提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一含氢还原气体；从该气体混合物形成一电浆；以及将来自该气体混合物的离子植入到该基板内。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该反应气体包括BF3、B2H6、BCl3、P2H5、PH3、GaN、AsF5或PF3之至少其一。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该含氢还原气体包括SiH4或B2H6气体之至少其一。如申请专利范围第18项所述之方法，其中供应一气体混合物的步骤更胞含：供应一含氮气体到该腔室内。如申请专利范围第21项所述之方法，其中该含氮气体包括NO、NO2、NH3、N2或N2O之至少其一。一种用以藉由一电浆沈浸离子植入制程将离子植入到一基板内的方法，至少包含：提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一含氢还原气体，该含氢还原气体系选自包含SiH4、B2H6、NH3与H2的群组；施加一RF功率以形成一电浆；将该气体混合物解离成多个离子物种，其中来自该还原气体的离子物种系与一第一部分之离子物种发生反应，并将副产物泵送出该腔室；以及将来自该气体混合物的一第二部分之离子物种植入到该基板内。如申请专利范围第23项所述之方法，其中该反应气体为BF3。如申请专利范围第24项所述之方法，其中该第二部分之离子物种为B离子。如申请专利范围第24项所述之方法，其中该第一部分之离子物种为F离子。如申请专利范围第23项所述之方法，其中来自该还原气体的离子物种为H离子。