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一种光阻底层膜材料，其系为在微影术中使用的多层光阻膜之光阻底层膜材料，其特征为至少含有具以下述一般式(1)所示之重复单位的聚合物，@sIMGTIF!d10035.TIF@eIMG!(于一般式(1)中，R1系为氢原子或酸不安定基，X系为单键、-Y-C(=O)-、碳数1~4之直链状或支链状伸烷基中任何一种，Y系表示单键、或碳数1~4之直链状或支链状伸烷基，Z系表示伸甲基、氧原子、硫原子中任何一种，R2、R3系各为独立的碳数1~4之烷基、烷氧基、乙醯氧基或烷氧基羰基、或碳数6~10之芳基，R4系为碳数1~4之烷基或碳数6~10之芳基，R5系为苯基或碳数10~30之缩合多环式烃基，部分或全部氢原子可以被卤素原子取代，n系表示0~4之整数，p、q系各为独立的0~6之整数，R6系为氢原子或甲基，a、b、c、d、e系各为0<a<1.0、0≦b≦0.9、0≦c≦0.9、0≦d≦0.9、0≦e≦0.9、0<b+c+d+e<1.0之范围)。如申请专利范围第1项之光阻底层膜材料，其中另外含有有机溶剂、酸产生剂、交联剂中之任一种以上者。一种图型之形成方法，其系为藉由微影术在基板上形成图型的方法，其特征为至少在基板上使用如申请专利范围第1或2项之光阻底层膜材料，以形成光阻底层膜，且在该光阻底层膜上使用光阻组成物之光阻表层膜材料，形成光阻表层膜，形成2层光阻膜，使该光阻表层膜之图型电路范围进行曝光后，以显像液进行显像，在光阻表层膜上形成光阻图型，使形成有该图型之光阻表层膜作为光罩，使光阻底层膜进行蚀刻处理，再使至少形成有该图型之光阻底层膜作为光罩，使基板进行蚀刻处理，在基板上形成图型。如申请专利范围第3项之图型之形成方法，其中该光阻组成物之光阻表层膜材料系含有含矽原子之聚合物，使该光阻表层膜作为光罩，使光阻底层膜之蚀刻处理使用以氧气或氢气为主体之蚀刻气体予以进行。一种图型之形成方法，其系为藉由微影术在基板上形成图型的方法，其特征为至少在基板上使用如申请专利范围第1或2项之光阻底层膜材料，以形成光阻底层膜，且在该光阻底层膜上使用含矽原子之光阻中间层膜材料，形成光阻中间层膜，在该光阻中间层膜上使用光阻组成物之光阻表层膜材料，形成光阻表层膜，形成3层光阻膜，使该光阻表层膜之图型电路范围进行曝光后，以显像液进行显像，在光阻表层膜上形成光阻图型，使形成有该图型之光阻表层膜作为光罩，使光阻中间层膜进行蚀刻处理，再使至少形成有该图型之光阻中间层膜作为光罩，使光阻底层膜进行蚀刻处理，然后，使至少形成有图型之光阻底层膜作为光罩，使基板进行蚀刻处理，在基板上形成图型。如申请专利范围第5项之图型之形成方法，其中该光阻组成物之光阻表层膜材料系含有不含矽原子之聚合物，使该光阻中间层膜作为光罩，且使光阻底层膜之蚀刻处理使用以氧气或氢气为主体的蚀刻气体进行。 |
