非易失性存储元件及其制造方法

摘要

本发明的非易失性存储元件具有：电阻变化元件（104a），其具有第1电极（103）、第2电极（105）和电阻变化层（104），该电阻变化层（104）介于第1电极（103）和第2电极（105）之间，并且电阻值根据提供到第1电极（103）和第2电极（105）之间的电信号而可逆地变化；以及固定电阻层（108），其具有规定的电阻值，被层叠于电阻变化层（104），电阻变化层（104）具有缺氧型的第1过渡金属氧化物层（106）、和具有比第1过渡金属氧化物层（106）高的含氧率的第2过渡金属氧化物绝缘层（107），规定的电阻值为70Ω以上且1000Ω以下。

主权项

一种非易失性存储元件，具有：电阻变化元件，具有第1电极、第2电极和电阻变化层，所述电阻变化层介于所述第1电极和所述第2电极之间，并且其电阻值根据提供到所述第1电极和所述第2电极之间的电信号而可逆地变化；以及固定电阻层，具有规定的电阻值，被层叠于所述电阻变化元件，所述电阻变化层具有缺氧型的第1过渡金属氧化物层、和具有比所述第1过渡金属氧化物层高的含氧率的第2过渡金属氧化物绝缘层，所述规定的电阻值为70Ω以上且1000Ω以下。