| 发明名称 | 具有静电放电保护单元的辐射发射型半导体芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种辐射发射型半导体芯片(1)，具有载体(5)和带有半导体层组的半导体本体(2)。半导体层组具有用于产生辐射的有源区(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)。有源区(20)配置于第一半导体层(21)与第二半导体层(22)之间。第一半导体层(21)配置在有源区(20)的远离载体(5)的一侧。半导体本体(2)具有延伸穿过有源区(20)的至少一个凹部(25)。第一半导体层(21)与第一连接层(31)导电连接，第一连接层(31)在凹部(25)中从第一半导体层(21)向载体(5)的方向延伸。第一连接层(31)由保护二极管(4)与第二半导体层(22)电连接。此外，本发明还涉及一种制造辐射发射型半导体芯片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101971344B | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN200980109039.4 | 申请日期 | 2009.06.25 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 卡尔·英格尔;贝特侯德·哈恩;克劳斯·施特罗伊贝尔;马库斯·克莱恩 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放 |
| 主权项 | 一种辐射发射型半导体芯片(1)，具有载体(5)和带有半导体层组的半导体本体(2)，其中，所述半导体层组具有用于产生辐射的有源区(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)；有源区(20)配置在第一半导体层(21)与第二半导体层(22)之间；第一半导体层(21)配置在有源区(20)的远离载体(5)的一侧上；半导体本体(2)具有延伸穿过有源区(20)的至少一个凹部(25)；第一半导体层(21)与第一连接层(31)导电连接，第一连接层(31)在凹部(25)中从第一半导体层(21)向载体(5)的方向延伸；第一连接层(31)由保护二极管(4)与第二半导体层(22)电连接；和在半导体芯片(1)的俯视图中，有源区(20)完全覆盖保护二极管(4)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||