| 发明名称 | 管道架和离子生成装置 | ||
| 摘要 | 管道架和离子生成装置。一种管道架包括：第一气流路径，该第一气流路径被配置为包括第一排气口；第二气流路径，该第二气流路径被配置为包括靠近所述第一排气口设置的第二排气口；离子生成器，该离子生成器被配置为设置在所述第二气流路径中并将所述第二气流路径划分为第一划分流路和第二划分流路；以及微小流路，该微小流路被配置为设置在所述离子生成器下方并具有比所述第二气流路径的所述第一划分流路的流路阻力高的流路阻力。 | ||
| 申请公布号 | CN102738710A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210098102.2 | 申请日期 | 2012.04.05 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 西川晃正;藤川英之 |
| 分类号 | H01T23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01T23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | 一种管道架，该管道架包括：第一气流路径，该第一气流路径被配置为包括第一排气口；第二气流路径，该第二气流路径被配置为包括靠近所述第一排气口设置的第二排气口；离子生成器，该离子生成器被配置为设置在所述第二气流路径中并将所述第二气流路径划分为第一划分流路和第二划分流路；以及微小流路，该微小流路被配置为设置在所述离子生成器下方并具有比所述第二气流路径的所述第一划分流路的流路阻力高的流路阻力。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||