CMOS图像传感器及其制作方法

摘要

一种CMOS图像传感器及其制作方法，其中，所述CMOS图像传感器制作方法包括：提供硅衬底；在所述硅衬底中形成隔离槽，使得在转移晶体管下产生垂直于沟道的张应力；形成光电二极管和复位晶体管、转移晶体管、源跟随晶体管以及行选通晶体管。本发明技术方案在CMOS图像传感器中设置了至少具备隔离槽和隔离膜的隔离结构，从而能够在转移晶体管下产生垂直于其沟道方向的张应力，有效的提高了NMOS的电荷迁移率，减少了残留在光敏二极管的电荷残留，缓解了成像滞后的现象。

主权项

一种CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底中形成隔离槽，使得在转移晶体管下产生垂直于沟道的张应力；形成光电二极管和复位晶体管、转移晶体管、源跟随晶体管以及行选通晶体管。