一种SiGe基垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种SiGe基垂直沟道应变BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在Si衬底片上的双极器件区域制造SiGe HBT器件；光刻NMOS器件有源区，在该区域外延生长五层材料形成NMOS器件有源区，制备NMOS器件；光刻PMOS器件有源区，在该区域外延生长三层材料形成PMOS器件有源区，形成虚栅极，完成PMOS器件制备，形成SiGe基垂直沟道应变BiCMOS集成器件及电路。本发明充分利用应变SiGe材料在垂直方向电子迁移率和水平方向空穴迁移率高于弛豫Si的特点，在低温工艺下，制备出性能增强的SiGe基垂直沟道应变BiCMOS集成电路。

主权项

一种SiGe基垂直沟道应变BiCMOS集成器件，其特征在于，所述BiCMOS集成器件采应变SiGe垂直沟道NMOS器件、应变SiGe平面沟道PMOS器件和SiGe HBT器件。