| 发明名称 | 使用掺杂硼的SiGe层的层转移 | ||
| 摘要 | 一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的方法，包括：在体硅衬底上形成掺杂硼的SiGe层；在掺杂硼的SiGe层之上形成上硅(Si)层；氢化掺杂硼的SiGe层；将上Si层键合至备选衬底；并且在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面传播裂痕。一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的系统包括：体硅衬底；掺杂硼的SiGe层，形成于体硅衬底上，从而掺杂硼的SiGe层位于上硅(Si)层下面，其中掺杂硼的SiGe层被配置成在掺杂硼的SiGe层的氢化之后在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面处传播裂痕；以及备选衬底，键合到上Si层。 | ||
| 申请公布号 | CN102741980A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201180008430.2 | 申请日期 | 2011.02.01 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·贝德尔;金志焕;D·因斯;D·萨达纳;K·弗吉尔;J·维奇康蒂 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅;张宁 |
| 主权项 | 一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的方法，所述方法包括：在体硅衬底上形成掺杂硼的SiGe层；在所述掺杂硼的SiGe层之上形成上硅(Si)层；氢化所述掺杂硼的SiGe层；将所述上Si层键合至备选衬底；以及在所述掺杂硼的SiGe层与所述体硅衬底之间的界面处传播裂痕。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||