图案化非易失性存储器（NVM）的栅堆叠

摘要

本发明涉及图案化非易失性存储器(NVM)的栅堆叠。以集成的方式形成电容器(26)和NVM单元(24)，以便电容器的蚀刻在NVM单元蚀刻的结束点检测时是有用的。这利用NVM区上方和电容器区上方的两个导电层实现。在为后续图案化步骤做准备时图案化第一导电层(48，54)，其中，后续的图案化步骤包括在NVM区和电容器区中图案化第一导电层和第二导电层(52，58)两个的步骤。通过利用同一掩模来蚀刻两个导电层，后续的蚀刻提供了浮置栅(54)与上覆的控制栅(58)的重要对准。在后续的蚀刻期间，第一导电材料在电容器区中被蚀刻的事实有助于NVM区第一导电层蚀刻的结束点检测。

主权项

一种在衬底的电容器区上方制造电容器和在所述衬底的NVM区中制造非易失性存储单元的方法，包括：在所述衬底上在所述电容器区和所述NVM区中形成第一电介质层；在所述第一电介质层上形成第一导电层；执行所述电容器区中的所述第一导电层的图案化蚀刻，以在所述电容器区中形成具有第一边和第二边的底部电容器层；在所述底部电容器层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层上形成第二导电层，并且延伸过所述底部电容器层的所述第一边和所述第二边；执行所述第二导电层的图案化蚀刻，留下具有第一边和第二边的图案化的第二导电层，其中，所述底部电容器层的顶部暴露在所述图案化的第二导电层的第一边和所述底部电容器层的第一边之间，并且所述图案化的导电层的第二边延伸过所述底部电容器层的第二边；在所述电容器区上方形成具有第一图案的第一掩模，其中所述第一图案是顶部电容器电极区，在所述NVM区上方形成具有第二图案的第二掩模，其中所述第二图案包括NVM位单元的控制栅的图案；和执行通过所述图案化的第二导电层、所述第二电介质层和所述底部电容器层的蚀刻，以留下来自延伸过所述底部电容器层的第二边上的底部电容器层的所述图案化的第二导电层的顶部电容器电极区，其中，所述底部电容器层和所述顶部电容器电极区的第三边对准，与所述底部电容器层和所述顶部电容器电极区的第三边相对的第四边对准，并且留下来自浮置栅上方的所述图案化的第二导电层的所述控制栅。