半导体元件的制造方法及其结构

摘要

一种半导体元件的制造方法及其结构，包含：提供缓冲层，并在缓冲层表面形成第一半导体层，接着在外延过程中利用高浓度掺杂物质的方式在第一半导体层表面形成第一置入层，然后在第一置入层表面覆盖第二半导体层，最后，再在第二半导体层上成长半导体发光元件，其中形成第一置入层与覆盖第二半导体层为一组程序。本发明利用在外延工艺中高浓度掺杂物质的方式所形成的置入层，可以降低元件内部的差排缺陷。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包含：提供缓冲层；在该缓冲层表面形成第一半导体层；在外延过程中利用高浓度掺杂物质的方式在该第一半导体层表面形成置入层，外延过程中根据置入层表面形态调变式改变掺杂浓度；在该置入层表面覆盖第二半导体层，其中形成该置入层与覆盖该第二半导体层为一组程序，覆盖该第二半导体层时，会先形成不连续的岛状结构，随着成长时间增加，此不连续的岛状结构会开始互相接合，最后即形成平整的第二半导体层；与在该半导体层上成长半导体发光元件。