一种超浅结形成方法

摘要

本发明提供一种超浅结形成方法，通过相对原子质量较大的In离子的大角度倾斜LDD离子注入，来取代Ge离子的垂直LDD离子注入，有效减少了EOR缺陷，改善了注入形成的非结晶层再结晶、TED效应和结漏电现象；同时，采用倾斜方式LDD离子注入，形成更靠近栅极底部的LDD源/漏延伸区，以此得到具有更长的有效沟道长度的超浅结，减小SCE效应，提高了MOS器件的电学特性，使得在超浅结工艺中制造更浅的源/漏区结深成为可能。

主权项

一种超浅结形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成栅极结构；以栅极结构为掩膜，以第一角度在所述半导体衬底中进行第一类离子轻掺杂源/漏区倾斜注入，所述第一类离子包含相对原子质量比锗大的离子；以栅极结构为掩膜，以第二角度在所述半导体衬底中进行第二类离子轻掺杂源/漏区倾斜注入，所述第二角度比第一角度小；执行快速退火处理，形成超浅结。