| 发明名称 | 具有超晶格结构的太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。本发明还提供一种如上述具有超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上生长两种GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述两种GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。 | ||
| 申请公布号 | CN102738267A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210203843.2 | 申请日期 | 2012.06.20 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 郑新和;李雪飞;张东炎;吴渊渊;陆书龙;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/077(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种具有超晶格结构的太阳能电池，其特征在于，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。 | ||
| 地址 | 215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||