发明名称 |
一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件及制备方法,首先制备SOI衬底,刻蚀双极器件有源区,生长双极器件集电区,光刻基区区域,在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si,制备深槽隔离,形成发射极、基极和集电极,形成SiGe HBT器件;光刻MOS有源区,在该区域连续生长Si缓冲层、应变SiGe层、本征Si层,分别形成NMOS和PMOS器件有源区,在NMOS和PMOS器件有源区淀积SiO2和多晶硅,通过刻蚀制备长度为22~350nm的伪栅,采用自对准工艺形成NMOS和PMOS器件的轻掺杂源漏和源漏,然后去除伪栅,制备形成栅介质氧化镧和金属钨形成栅极,最后金属化,光刻引线,形成BiCMOS集成器件及电路。本发明采用了轻掺杂源漏结构,有效地抑制了热载流子对器件性能的影响,提高了器件的可靠性。 |
申请公布号 |
CN102738149A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210243169.0 |
申请日期 |
2012.07.16 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
胡辉勇;张鹤鸣;宋建军;王海栋;舒斌;宣荣喜;戴显英;郝跃 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种基于平面应变SiGe HBT器件的BiCMOS集成器件,其特征在于,所述BiCMOS集成器件采用双多晶SiGe HBT器件,应变SiGe平面沟道NMOS器件和应变SiGe平面沟道PMOS器件。 |
地址 |
710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 |