半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层相邻地形成栅极绝缘膜；以隔着所述栅极绝缘膜与所述氧化物半导体层相邻的方式形成栅电极层；在所述栅电极层上形成氧化铝膜；以及至少对所述氧化物半导体层进行热处理，其中，所述氧化铝膜的厚度大于50nm且为500nm以下。