双EUV照射均匀性校正系统和方法

摘要

本发明公开了双EUV照射均匀性校正系统和方法。光刻设备包括照射系统。照射系统包括均匀性校正系统。均匀性校正系统包括指状件，配置成可移入和移出辐射束，以便校正辐射束的各个部分的强度；和致动装置，耦接至所述指状件中的对应的指状件和配置成移动对应的指状件。光刻方法包括：聚焦辐射束在第一平面处，以便在第一平面处形成大致恒定的光瞳；通过将定位在第一平面附近的指状件移入和移出辐射束路径来调节靠近第一平面的辐射束的强度，其中指状件中的每一个的尖端的宽度大于用于移动指状件中的每一对应的指状件的对应的致动装置的宽度；引导辐射束到图案形成装置上以图案化辐射束；和将图案化的辐射束投影到衬底上。

主权项

一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束，所述照射系统包括定位在配置成在用所述辐射束照射时接纳大致恒定的光瞳的平面处的均匀性校正系统，所述均匀性校正系统包括：指状件，配置成可移动成与辐射束相交和移出辐射束不与之相交，以便校正所述辐射束的各个部分的强度，和致动装置，耦接至所述指状件中的对应的指状件和配置成移动所述对应的指状件，其中每一所述指状件的尖端的宽度大于所述致动装置的宽度；支撑结构，配置成保持图案形成装置，所述图案形成装置配置成图案化所述被调节的辐射束；衬底台，配置成保持衬底；和投影系统，配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。