一种GaN基发光二极管结构及其制作方法

摘要

一种GaN基发光二极管结构及其制作方法，涉及光电技术领域。本发明结构包括蓝宝石衬底和在蓝宝石衬底上依次外延生长的N型氮化镓层、有源发光层及P型氮化镓层。P型氮化镓层的上方为透明导电层，透明导电层上的一端置有P型电极，N型氮化镓层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极。其结构特点是，所述设置N型电极的N型氮化镓层平面上、两个发光二极管芯片之间不设置切割道区域。同现有技术相比，本发明能有效减少有源区的刻蚀损耗，增加发光区面积，改善GaN基发光二极管的发光效率，制作工艺简单。

主权项

一种GaN基发光二极管结构，它包括蓝宝石衬底(21)和在蓝宝石衬底(21)上依次外延生长的N型氮化镓层(22)、有源发光层(23)及P型氮化镓层(24)，P型氮化镓层(24)的上方为透明导电层(25)，透明导电层(25)上的一端置有P型电极(262)，N型氮化镓层(22)上、与P型电极(262)相对的另一端置有N型电极(261)；其特征在于，所述设置N型电极(261)的N型氮化镓层(22)平面上、两个发光二极管芯片之间不设置切割道(00)区域。