| 发明名称 | 一种具有大的交换偏置效应的磁性形状记忆合金材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有大的交换偏置效应的磁性材料，其化学式为：Mn50Ni41-xCoxSn9；其中，0≤x≤5，x表示原子百分比含量。制备上述磁性材料的方法，步骤为：(1)按化学式称量原料(2)将称好的原料盛放在水冷铜坩埚中，采用常规的电弧熔炼法制备Mn50Ni41-xCoxSn9磁性多晶锭料；将熔炼的多晶锭料，采用快淬甩带的方法制备多晶带材；或将多晶锭料盛放在坩埚中，采用常规的提拉法生长磁性单晶。本发明与现有合金相比，具有更高的磁场可控制性和巨大的交换偏置场HE，可用于制备驱动器、温度和/或磁性敏感元件、微型机电器件和永磁体、超高密度磁记录介质、自旋阀、隧道结新型存储器和传感器等。 | ||
| 申请公布号 | CN102732762A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210254009.6 | 申请日期 | 2012.07.20 |
| 申请人 | 河北师范大学 | 发明人 | 马丽;王曙巧;李国杰;甄聪棉;侯登录 |
| 分类号 | C22C22/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C30B29/52(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;B22D11/06(2006.01)I | 主分类号 | C22C22/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人 | 董金国 |
| 主权项 | 一种具有大的交换偏置效应的磁性形状记忆合金材料，其特征在于其化学式为：Mn50Ni41‑xCoxSn9，其中，0≤x≤5，x表示原子百分比含量。 | ||
| 地址 | 050024 河北省石家庄市南二环东路20号 | ||