形成接合半导体结构的方法及用该方法形成的半导体结构

摘要

本发明公开了一种形成接合半导体结构的方法及用该方法形成的半导体结构。形成半导体器件的方法包括：提供基板，该基板包括位于电气绝缘材料层上的半导体材料层。在半导体材料层的第一侧上形成第一金属化层。贯穿晶圆互连形成为至少部分地穿过基板。在半导体材料层的与第一侧相反的第二侧上形成第二金属化层。提供电气路径，该电气路径在半导体材料层的第一侧上由基板承载的第一被处理的半导体结构与半导体材料层的第一侧上由基板承载的第二被处理的半导体结构之间延伸穿过第一金属化层、基板和第二金属化层。使用这样的方法制造半导体结构。

主权项

一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供基板，所述基板包括位于电气绝缘材料层上的半导体材料层；在所述基板上并且在所述半导体材料层的与所述电气绝缘层相反的第一侧上形成包括多个导电部分的第一金属化层；形成至少部分地穿过所述基板的多个贯穿晶圆互连，并且将所述多个贯穿晶圆互连中的至少一个贯穿晶圆互连形成为延伸穿过所述金属化层和所述半导体材料层中的每一个；在所述半导体材料层的与所述半导体材料层的所述第一侧相反的第二侧上形成包括多个导电部分的第二金属化层；以及提供电气路径，所述电气路径在所述半导体材料层的所述第一侧上由所述基板承载的第一被处理的半导体结构与所述半导体材料层的所述第一侧上由所述基板承载的第二被处理的半导体结构之间连续地延伸穿过所述第一金属化层、所述基板和所述第二金属化层。