| 发明名称 | 具有忆阻器特性的半导体器件及其实现多级存储的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有忆阻器特性的半导体器件及其实现多级存储的方法。所述半导体器件包括上电极和下电极，以及设置于所述上电极和下电极之间的存储介质层。本发明当具有忆阻器特性的半导体器件在高阻态和低阻态之间发生相互转变时，通过控制转变电压的大小可以得到不同的高阻态或低阻态电阻值，从而实现在每个存储单元中存储多位数据的多值存储，提高了具有忆阻器特性的半导体器件的存储容量，进而降低了具有忆阻器特性的半导体器件的制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102738388A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201110090889.3 | 申请日期 | 2011.04.12 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种具有忆阻器特性的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括上电极和下电极，以及设置于所述上电极和下电极之间的存储介质层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||