| 发明名称 | 用于处理半导体晶圆或裸片的方法和粒子沉积设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于处理半导体晶圆或裸片的方法和粒子沉积设备。根据各种实施例，提供了一种用于处理半导体晶圆或裸片的方法，包括将粒子提供到等离子体以使得通过等离子体激活所述粒子并且将激活的粒子喷射在半导体晶圆或裸片上以在半导体晶圆或裸片上生成粒子层。 | ||
| 申请公布号 | CN102738040A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210098988.0 | 申请日期 | 2012.04.06 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | M.恩格尔哈特;M.弗兰克;T.孔斯特曼;I.尼基廷;W.罗布尔;G.鲁尔;H-J.蒂默 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 谢攀;刘春元 |
| 主权项 | 一种用于处理半导体晶圆或裸片的方法，包括：将粒子提供到等离子体以使得通过等离子体激活所述粒子；将激活的粒子喷射在半导体晶圆或裸片上以在半导体晶圆或裸片上生成粒子层。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||