发明名称 |
METHOD FOR PERMANENTLY BONDING WAFERS |
摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2), wobei das zweite Substrat (2) zumindest eine Reaktionsschicht (7) aufweist, mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Reservoirbildungsschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Dünnen des zweiten Substrats (2) und - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in der Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats (2) enthaltenen zweiten Edukt.</p> |
申请公布号 |
WO2012136266(A1) |
申请公布日期 |
2012.10.11 |
申请号 |
WO2011EP55469 |
申请日期 |
2011.04.08 |
申请人 |
EV GROUP E. THALLNER GMBH;PLACH, THOMAS;HINGERL, KURT;WIMPLINGER, MARKUS;FLOETGEN, CHRISTOPH |
发明人 |
PLACH, THOMAS;HINGERL, KURT;WIMPLINGER, MARKUS;FLOETGEN, CHRISTOPH |
分类号 |
H01L21/20;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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