用于消除太阳能单晶黑芯硅片的拉制工艺

摘要

本发明的用于消除太阳能单晶黑芯硅片的拉制工艺，采用单晶炉热场系统进行拉制，具有如下步骤：①在单晶炉热场系统中坩埚中投入晶料；②预设单晶炉热场系统的工况参数，加热使单晶炉热场系统中坩埚内晶料融化保持熔融状态；③将籽晶点到熔融状态的液面上，籽晶反向旋转开始引晶；④当引晶长度达到120-150mm时，以0.35-0.40毫米/分的拉速放溜肩；⑤当放肩至171mm时，同时坩埚转速8转/分钟，晶棒反向转速12转/分钟进行手动转肩；⑥转肩成功后再进行手动等径至150mm。本发明提高单晶拉制水平，拉出收尾到底的硅棒，杜绝有残留位错滑移的现象，能解决黑芯片问题。

主权项

一种用于消除太阳能单晶黑芯硅片的拉制工艺，采用单晶炉热场系统进行拉制，其特征是具有如下步骤：①在单晶炉热场系统中坩埚中投入晶料，然后装入单晶炉热场系统；②预设单晶炉热场系统的工况参数，抽真空，保持炉压：1300Pa‑1500Pa、充入惰性气体，手动或自动控制炉内红外测温仪示数：1230sp‑1280sp，加热使单晶炉热场系统中坩埚内晶料融化保持熔融状态；③将籽晶点到步骤②中的熔融状态的液面上，籽晶与坩埚相反向旋转开始引晶，引晶速度为1~8mm/min；④当步骤③中引晶长度达到120‑150mm时，以0.35‑0.40毫米/分的拉速放溜肩；⑤当放肩直径达到171mm后，同时坩埚转速8转/分钟，晶棒反向转速12转/分钟进行手动转肩；⑥转肩成功后再进行手动等径至100~150mm，同时需对好依尔根光圈，再采用各项自动控制系统完成收尾操作。