一种半导体等离子体频率测量方法

摘要

本发明公开了一种半导体等离子体频率测量方法。本发明首先将两个金属刀片平行设置在待测半导体表面上方，然后向其中一个刀片刃口与待测半导体表面之间的狭缝发射宽频电磁波，在待测半导体表面激发出表面等离子体波，并利用设置在另一刀片外侧的光谱分析装置接收耦合出的电磁波；通过调整宽频电磁波频率以及两个刀片的间距，使得光谱分析装置刚好不能接收到入射宽频电磁波的全部频率信号，记录下此时光谱分析装置所能探测到的最大频率值；将该最大频率值乘以，即为待测半导体的等离子体频率。本发明方法利用表面等离子体波在半导体表面的传播特性对半导体等离子体频率进行准确实时地测量，具有实现成本低、对半导体无损伤、测量范围广等优点。

主权项

1.一种半导体等离子体频率测量方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将两个金属刀片：第一刀片和第二刀片，平行设置于待测半导体表面上方，两个刀片的刀身垂直于半导体表面且刃口向下；初始时，设置两个刀片间的距离为2厘米，刀片刃口与待测半导体表面的距离大于0小于等于500微米；由第一刀片的外侧向第一刀片的刃口与待测半导体表面之间的狭缝处发射宽频电磁波；在第二刀片的刀口外侧放置一个光谱分析装置；步骤2、检查光谱分析装置是否能收到信号，如果没有任何信号被接收到，则逐步减小所发射宽频电磁波的最小频率，直至光谱分析装置可以接收到电磁波信号；步骤3、如在步骤2的操作过程中，光谱分析装置始终不能收到信号，则逐步减小两个刀片间的距离，并重复步骤2，直至光谱分析装置可以接收到电磁波信号；步骤4、微调两个刀片刃口与待测半导体表面的距离、入射电磁波的入射角度、光谱分析装置接收出射电磁波的角度，使得光谱分析装置接收到信号的幅度达到最大；步骤5、逐步减小两个刀片之间的距离，直至光谱分析装置刚好不能接收到入射宽频电磁波的全部频率信号，记录下此时光谱分析装置所能探测到的最大频率值；将该最大频率值乘以，即为待测半导体的等离子体频率。