半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括基底、高压元件、中压元件及低压元件。基底包括高压电路区、中压电路区以及低压电路区。高压元件位于高压电路区上。中压元件位于中压电路区上。低压元件位于低压电路区上。中压元件的结构与高压元件的结构相同，但与低压元件的结构不同。另外，高压元件、中压元件与低压元件分别具有第一栅介电层、第二栅介电层与第三栅介电层，其中第二栅介电层的厚度小于第一栅介电层的厚度。

主权项

一种半导体元件，包括：基底，包括高压电路区、中压电路区以及低压电路区；具有第一导电型的第一井区，位于该基底中；高压元件，位于该高压电路区上，该高压元件包括具有第二导电型的沟道的第一金属氧化物半导体晶体管；中压元件，位于该中压电路区上该中压元件包括具有该第二导电型的沟道的第二金属氧化物半导体晶体管；以及低压元件，位于该低压电路区上，该低压元件包括具有该第二导电型的沟道的第三金属氧化物半导体晶体管，其中该中压元件的结构与该高压元件的结构相同，但与该低压元件的结构不同，且该高压元件、该中压元件与该低压元件分别具有第一栅介电层、第二栅介电层与第三栅介电层，其中该第二栅介电层的厚度小于该第一栅介电层的厚度，其中该高压元件与该中压元件分别包括：栅极结构，位于该基底上；具有该第二导电型的二个源极与漏极区，位于该栅极结构两侧的该基底中；以及至少一个隔离结构，分别位于该栅极结构与各该源极与漏极区之间的该基底中。