| 发明名称 | 内连线结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种内连线结构与其形成方法，该形成方法包括以下步骤：提供一介电层；形成一金属线于该介电层中；以及形成一复合蚀刻停止层，其中形成该复合蚀刻停止层包括：形成一底部蚀刻停止层于该金属线与该介电层之上；以及形成一顶部蚀刻停止层于该底部蚀刻停止层之上，其中该底部蚀刻停止层与该顶部蚀刻停止层具有不同组成，且两者的步骤于原处进行。本发明可使工艺成本减少约30％。且循环时间可以减少。 | ||
| 申请公布号 | CN101859727B | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201010143203.8 | 申请日期 | 2010.03.24 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖茂成;杨怀德;孙钟仁;梁晋魁;廖廷修 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种内连线结构的形成方法，包括以下步骤：提供一介电层；形成一金属线于该介电层中；以及形成一复合蚀刻停止层，其中形成该复合蚀刻停止层包括：形成一底部蚀刻停止层于该金属线与该介电层之上；以及形成一顶部蚀刻停止层于该底部蚀刻停止层之上，其中该底部蚀刻停止层与该顶部蚀刻停止层具有不同组成，且两者的形成步骤于原处进行；该方法还包括：形成一低介电常数介电层于该复合蚀刻停止层之上；以及形成一额外金属线与一导孔于该低介电常数介电层中，其中该额外金属线与该导孔电性连接该金属线；形成导孔开口(46)与沟槽开口(48)；蚀刻复合蚀刻停止层暴露的部分，接着，形成扩散阻挡层(50)。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||