发明名称 |
声子助电子发射阴极和声子助电子发射器件 |
摘要 |
本发明公开了一种声子助电子发射阴极和声子助电子发射器件,属于电子科学技术领域。所述声子助电子发射阴极包括电子发射体和电极对,所述电子发射体中的声子的湮灭时间比产生时间长,施加电场后,电子声子相互作用能够产生非平衡声子;电子发射体中的电子被电场加速后受到声子的散射,散射时,电子能够吸收声子;散射后,电子能够保持运动方向不变。所述声子助电子发射器件包括所述声子助电子发射阴极,支撑物,和阳极。本发明可广泛用于显示器、电子源、光源等涉及电子发射的各种电子设备。 |
申请公布号 |
CN102074430B |
申请公布日期 |
2012.10.10 |
申请号 |
CN201010578753.2 |
申请日期 |
2010.12.03 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
魏贤龙;陈清;彭练矛 |
分类号 |
H01J1/312(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/312(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
余功勋 |
主权项 |
一种声子助电子发射阴极,其包括电子发射体和为所述电子发射体提供电场的电极对,其特征在于,所述电子发射体由一维或准一维材料制成;所述电子发射体中的声子的湮灭时间比产生时间长,施加所述电场后,电子声子相互作用能够产生非平衡声子;所述电子发射体中的电子,被所述电场加速后受到所述非平衡声子的散射,散射时,电子能够吸收所述非平衡声子;散射后,电子能够保持运动方向不变。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |