发明名称 | 具有集成微透镜的垂直外腔面发射半导体激光器 | ||
摘要 | 具有集成微透镜的垂直外腔面发射半导体激光器,属于半导体光电子学技术领域,为解决现有的VECSEL结构制作难度大,工作不稳定的问题,该激光器由下至上依次包括N面电极、N型衬底、N型DBR、有源层、氧化限制层、P型DBR和P面电极,还包括微透镜结构、外部耦合腔、外腔DBR反射镜;P面出光,微透镜结构位于出光口处且在所述P型DBR上制作形成,外部耦合腔生长在微透镜结构上,外腔DBR反射镜生长在外部耦合腔上;N面出光,所述微透镜结构位于出光口处且在所述N型DBR上制作形成,外部耦合腔生长在微透镜结构上,外腔DBR反射镜生长在外部耦合腔上,本发明一体结构消除了外腔镜中心与出光口中心对不准的问题。 | ||
申请公布号 | CN102723665A | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
申请号 | CN201210206752.4 | 申请日期 | 2012.06.21 |
申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明人 | 张建伟;宁永强;刘云;秦莉;王立军 |
分类号 | H01S5/183(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I |
代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人 | 南小平 |
主权项 | 具有集成微透镜垂直外腔面发射半导体激光器,由下至上依次包括N面电极(10)、N型衬底(1)、N型DBR(2)、有源层(3)、氧化限制层(4)、P型DBR(5)和P面电极(9),其特征在于,还包括微透镜结构(6)、外部耦合腔(7)、外腔DBR反射镜(8);所述微透镜结构(6)位于出光口处且在所述P型DBR(5)上制作形成,所述外部耦合腔(7)生长在微透镜结构(6)上,外腔DBR反射镜(8)生长在外部耦合腔(7)上。 | ||
地址 | 130033 吉林省长春市东南湖大路3888号 |