发明名称 电容元件及半导体器件
摘要 一种电容元件及具有该电容元件的半导体器件,该电容元件具有:第一梳状布线(14a),其形成在基板(10)上,并且具有第一梳齿;第二梳状布线(14b),其形成在基板上,并且具有以与第一梳齿对置的方式配置的第二梳齿;第一电极(16a)及第二电极(16b),它们相互对置,它们相对置的面的方向是与第一梳齿及第二梳齿的长边方向交叉的方向;第一电介质层,其形成在第一电极和第二电极之间;第一电极与第一梳齿连接,第二电极与第二梳齿连接。
申请公布号 CN101803004B 申请公布日期 2012.10.10
申请号 CN200780100617.9 申请日期 2007.10.03
申请人 富士通半导体股份有限公司 发明人 杉崎刚;仓田创
分类号 H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/822(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 向勇;浦柏明
主权项 一种电容元件,其特征在于,具有:第一梳状布线,其形成在基板上,并且具有第一梳齿,第二梳状布线,其形成在上述基板上,并且具有以与上述第一梳齿对置的方式配置的第二梳齿,第一电极及第二电极,它们相互对置,它们的相对置的面的方向是与上述第一梳齿及上述第二梳齿的长边方向交叉的方向,第一电介质层,其形成在上述第一电极和上述第二电极之间;上述第一电极与上述第一梳齿连接,上述第二电极与上述第二梳齿连接。
地址 日本神奈川县
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