| 发明名称 | 半导体制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体制造方法，在虚设晶圆上沉积一层保护膜，使保护膜完全包覆虚设晶圆，这样，在热氧化工艺中，虚设晶圆不会被氧化，从而减少了虚设晶圆的消耗，降低了生产成本，并且避免了由于虚设晶圆被氧化而产生的颗粒物，使欲氧化晶圆免于沾染。 | ||
| 申请公布号 | CN102723272A | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201110077477.6 | 申请日期 | 2011.03.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李春龙;李俊峰 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体制造方法，包括：提供欲氧化晶圆；提供虚设晶圆；将所述欲氧化晶圆和所述虚设晶圆置于热氧化设备中，进行热氧化处理；其特征在于：在进行所述热氧化处理之前，在所述虚设晶圆外表面沉积一层保护膜，所述保护膜完全包覆所述虚设晶圆。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||