| 发明名称 | 一种厚度均匀二氧化硅侧墙的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种厚度均匀二氧化硅侧墙的形成方法，包括以下步骤：首先，在已形成多个栅极器件的表面沉积一层侧墙氧化层；对形成的侧墙氧化层进行刻蚀，使得沉积过程中形成于器件上栅极之间的封口被打开；在之前形成的侧墙氧化层上沉积一层侧墙氧化层，再次对形成的侧墙氧化层进行刻蚀；重复进行上述侧墙氧化层的沉积和刻蚀过程，直至所形成的侧墙氧化层的厚度达到目标厚度；其中，所述刻蚀选用远端NF3+NH3等离子体刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN102723312A | 申请公布日期 | 2012.10.10 |
| 申请号 | CN201210204461.1 | 申请日期 | 2012.06.20 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 张文广;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种厚度均匀二氧化硅侧墙的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，在已形成多个栅极器件的表面沉积一层侧墙氧化层；对形成的侧墙氧化层进行刻蚀，使得沉积过程中形成于器件上栅极之间的封口被打开；在之前形成的侧墙氧化层上沉积一层侧墙氧化层，再次对形成的侧墙氧化层进行刻蚀；重复进行上述侧墙氧化层的沉积和刻蚀过程，直至所形成的侧墙氧化层的厚度达到目标厚度；其中，所述刻蚀选用远端NF3+NH3等离子体刻蚀。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||